3D NANDフラッシュメモリ市場の評価 - 2024年から2031年
3D NANDフラッシュメモリの需要は、さまざまな要因により継続的に増加しています。スマートフォン、タブレット、ノートパソコン、データセンターなどのデータ集約型アプリケーションの増加により、大容量ストレージシステムの需要が高まっています。単位面積当たりのデータ保存容量が大きい3D NANDフラッシュメモリは、これらのアプリケーションに最適な選択肢となっています。2023年の市場規模は71.5億米ドルを上回り、2031年には約168.4億米ドルに達すると予測されています。
クラウドコンピューティングとビッグデータ分析の人気が高まるにつれ、拡張性と信頼性の高いストレージソリューションのニーズも高まっています。 3D NANDフラッシュメモリの優れた性能と耐久性は、こうした要求の厳しい用途に最適です。 費用対効果が高く効率的な3D NANDフラッシュメモリに対する需要の高まりにより、市場は2024年から2031年にかけて年平均成長率（CAGR）12.13%で成長すると予測されています。
3D NAND型フラッシュメモリ市場：定義/概要
3D NAND型フラッシュメモリは、多数の層に垂直に積み重ねられたメモリセルを使用して、記憶密度と容量を高める不揮発性ストレージ技術です。メモリセルを単一の平面に配置する標準的な2D NANDとは異なり、3D NANDはより小さい物理的スペースにより多くのデータを保存することで、性能と耐久性を向上させます。この技術は、スマートフォン、タブレット、ソリッドステートドライブ（SSD）などの消費者向けデバイスや、データセンター、企業レベルのストレージシステムで一般的に利用されています。 読み取り・書き込み速度が速く、消費電力が少なく、耐久性も高いことから、大容量ストレージを必要とする高性能アプリケーションに最適なソリューションです。
クラウドコンピューティング、人工知能（AI）、自動運転車などの業界における大容量ストレージソリューションへの需要の高まりが、3D NANDフラッシュメモリの普及を後押ししています。 プロセス編成における継続的な開発により、メーカーは3D NANDの限界に挑み、より大容量で低価格のストレージを実現しようとしています。 5Gネットワークの拡大、IoTデバイスの普及、消費者および企業向けアプリケーションにおけるSSDの普及拡大は、いずれも需要の増加につながると予測されています。QLC（Quad-Level Cell）などの3D NANDアーキテクチャの進歩により、次世代のストレージシステムにおけるスケーラビリティと応用が改善されることが期待されています。
スマートフォンにおける大容量ストレージの需要の高まりが3D NANDフラッシュメモリ市場を牽引する？
スマートフォンにおける大容量ストレージのニーズの高まりが3D NANDフラッシュメモリ市場を牽引するでしょう。マルチメディア、アプリケーション、高解像度情報など、ストレージに対する需要の高まりに対応してスマートフォンが進化するにつれ、3D NANDフラッシュメモリの使用も増加しています。インターナショナル・データ・コーポレーション（IDC）の調査によると、スマートフォンの平均ストレージ容量は2017年の32.6GBから2020年には70.4GBに増加し、2025年には148GBに達すると予測されています。このストレージ容量の需要の高まりは、パフォーマンス、耐久性、効率性の向上を実現する3D NANDフラッシュメモリの必要性を浮き彫りにし、市場の成長を促進しています。
データセンターとクラウドストレージの成長が3D NANDフラッシュメモリ市場を牽引しています。データセンターとクラウドサービスでは、常に拡大するデータ量に対応するために、高密度で拡張性と効率性に優れたストレージシステムが必要とされており、3D NANDフラッシュメモリの重要性がますます高まっています。国際エネルギー機関（IEA）は、世界のデータセンターのストレージ容量が2016年の1.8ゼタバイトから2021年には6.8ゼタバイトに増加し、2025年までの年間成長率は30%と予測しており、3D NANDなどの先進的なストレージ技術に対する需要の高まりを裏付けています。
技術競争が3D NANDフラッシュメモリ市場の成長を妨げる要因とは？
技術競争が3D NANDフラッシュメモリ市場の成長を妨げる要因となっています。抵抗変化型RAM（ReRAM）、磁気抵抗変化型RAM（MRAM）、3D XPointメモリなどの競合するストレージ技術が発展すれば、速度、耐久性、電力効率の面で優位性をもたらす可能性があります。これらの発展中の技術は、特に高性能アプリケーションにおいて、3D NANDから投資と市場シェアを奪う可能性があり、それにより、変化するストレージ需要に適合する代替オプションを企業が求めることで、その成長が鈍化する可能性があります。
データセキュリティの懸念は、3D NANDフラッシュメモリー市場の拡大に影響を与えます。データ漏洩、ハッキング、サイバー攻撃に対する脆弱性に関する懸念は、データセンター、クラウドストレージ、および家電製品などのアプリケーションで広く採用されている3D NANDの採用を妨げる可能性があります。特に機密性の高い業界においてセキュリティ上の懸念が生じれば、企業は3D NANDソリューションの利用をためらい、より高度な暗号化やセキュリティ機能を備えた代替ソリューションを好むようになる可能性があり、その結果、市場の成長は制限されるでしょう。
カテゴリー別洞察
家電製品は3D NANDフラッシュメモリ市場のマルチレベルセル（MLC）セグメントをどのように牽引するか？
現在、3D NANDフラッシュメモリ市場はMLCセグメントが主流となっています。 3D NANDフラッシュメモリ市場のMLCセグメントを牽引するのは、民生用電子機器です。 シングルレベルセル（SLC）よりもセルあたりに保存できるデータ量が多いMLC技術は、コスト効率と保存容量の面で優れているため、スマートフォン、タブレット、ノートパソコンなどの民生用デバイスで広く普及しています。これらのデバイスにおけるより大容量のストレージに対する需要が高まる中、MLCベースの3D NANDフラッシュメモリはメーカーにとって経済的な代替手段となり、この市場の主要な推進要因となっています。
データセンターは、3D NANDフラッシュメモリ市場におけるマルチレベルセル（MLC）セクションを牽引するでしょう。MLC技術は、他のメモリタイプよりも低価格でより高いストレージ密度を提供しており、大規模でコスト効率の高いストレージソリューションを必要とするデータセンターに最適です。クラウドサービスやビッグデータの処理に対する需要が高まるにつれ、データセンターでは、ストレージ容量と運用コストを最大限に活用しながら大量のデータを管理するために、MLCベースの3D NANDフラッシュメモリを採用するケースが増えています。
マルチメディアコンテンツの増加が3D NANDフラッシュメモリ市場のスマートフォンおよびタブレット端末セグメントを牽引するか？
スマートフォンおよびタブレット端末セグメントは、3D NANDフラッシュメモリ使用において最も急速な成長を遂げています。マルチメディアコンテンツの増加により、3D NANDフラッシュメモリ市場におけるスマートフォンおよびタブレット端末の分野はさらに成長するでしょう。高解像度の映画、写真、アプリケーションの生成や消費が増えるにつれ、スマートフォンやタブレット端末のより大容量のストレージに対する需要が高まっています。3D NANDフラッシュメモリは、小型パッケージで大容量を実現できるため、増加するマルチメディアデータの処理に適したこれらのデバイスにとって不可欠であり、この分野の主要な推進要因となっています。
起動時間とアプリケーションの読み込み時間の短縮は、3D NANDフラッシュメモリのスマートフォンおよびタブレット市場を牽引するでしょう。3D NAND技術によりデータ転送速度が高速化され、起動時間の短縮とアプリケーションのスムーズな動作が可能になります。これは、現在のスマートフォンやタブレットにおけるユーザー体験の向上に不可欠です。消費者がより反応の良いデバイスを求める中、メーカーはこうした期待に応えるために3D NANDフラッシュメモリを採用するケースが増えており、これがこの市場の成長の主な要因となっています。
国・地域別洞察
アジア太平洋地域の強力な製造基盤が3D NANDフラッシュメモリ市場を牽引するか？
現在、アジア太平洋地域が3D NANDフラッシュメモリ市場を独占しています。アジア太平洋地域の強力な製造基盤が3D NANDフラッシュメモリ市場を牽引しています。サムスン、SKハイニックス、マイクロンなどの大手メーカーが拠点を置く韓国、日本、中国は、重要な製造拠点となっています。半導体工業会（SIA）によると、2023年にはアジア太平洋地域の半導体販売額が世界全体の62%を占め、2028年にはその割合が68%にまで上昇すると予測されています。この拡大は、半導体生産への莫大な投資によって促進されており、特に2023年の中国の資本支出は537億米ドルに達し、前年比で20%増加しました。
技術進歩に対する政府の支援は、アジア太平洋地域の3D NANDフラッシュメモリ市場を促進するでしょう。2023年には半導体開発に約1200億米ドルが投じられ、2028年には年間2000億米ドルに達するとの予測もあり、3D NAND技術の進歩に向けて多額の資金が投入されています。中国による先進メモリ技術への400億米ドルの投資、韓国による2030年までの半導体研究への4500億米ドルの投資、そして日本による国内生産への68億米ドルの補助金は、いずれも技術革新の促進と生産能力の拡大に役立っています。 このような政府による多額の投資と支援政策は、この地域の技術力とグローバル市場における競争優位性を向上させる上で極めて重要です。
中東・アフリカ（MEA）地域の急速な都市化と可処分所得の増加が3D NANDフラッシュメモリ市場を拡大するか？
中東・アフリカ地域は、3D NANDフラッシュメモリ市場で最も急速な成長を遂げています。中東・アフリカ（MEA）地域における急速な都市化と可処分所得の増加が、3D NANDフラッシュメモリ市場を牽引するでしょう。アフリカの都市人口は2050年までにほぼ3倍の13億4000万人に達すると予測されており、また中東および北アフリカの経済成長も加速すると見込まれているため、大容量ストレージを必要とする家電製品やデジタルサービスの需要が急増するでしょう。2025年までにスマートフォンの普及率が85%に達し、一般的な世帯の可処分所得が15%上昇して年間3万4000ドルになると予想される中、より優れたストレージソリューションへの需要が高まっています。
中東およびアフリカ（MEA）地域におけるスマートフォンとタブレットの人気が高まっていることが、3D NANDフラッシュメモリー市場を後押ししています。2025年までにスマートフォンの利用率が75%に達すると推定され、2023年から2027年にかけてスマートフォン出荷台数は年平均成長率（CAGR）3.8%で成長すると見込まれる中、より大容量のストレージ機能に対する需要が高まっています。スマートフォンの平均ストレージ容量は、2020年の64GBから2025年には256GBに増加すると予想されており、一方、タブレットの販売台数は2022年から2023年の間に22%増加する見込みです。モバイルデバイスの機能強化とデータ消費を支えるストレージに対する需要の高まりが、3D NANDフラッシュメモリ市場の拡大を牽引しており、2023年から2028年にかけては年平均成長率（CAGR）15.2%で成長すると予測されています。
競合状況
3D NAND型フラッシュメモリ市場は、多様な企業が市場シェア獲得を競う、ダイナミックで競争の激しい分野です。 これらの企業は、提携、合併、買収、政治的支援などの戦略的計画を採用することで、自社の存在を確固たるものにしようと躍起になっています。
各企業は、多様な地域に広がる膨大な人口に対応するために、製品ラインの革新に重点的に取り組んでいます。 この市場で事業を展開する主な企業には、以下が含まれます。
Samsung Electronics Co., Ltd., Toshiba Corporation, SK Hynix Semiconductor, Inc., Micron Technology, Inc., Intel Corporation, Apple Inc., Lenovo Group Ltd., Advanced Micro Devices, STMicroelectronics, SanDisk Corporation.
最新動向
- 2024年4月、韓国のサムスン電子は、最新の286層NANDチップの量産を開始し、ストレージ容量を50%増加させる。サンプルは、AIデータセンターやスマートフォンに焦点を当て、GoogleやAppleなどの大手テクノロジー企業に送られた。
- 2024年4月、日本に拠点を置くキオクシアは、2031年までに1,000層以上の3D NANDメモリの量産化を目指す計画を発表した。同社のCTOである宮島英史氏は、東京都市大学で開催された第71回応用物理学会春季学術講演会で、この技術的障害と達成方法について講演した。
3D NANDフラッシュメモリ市場、カテゴリー別
タイプ：
- シングルレベルセル
- マルチレベルセル
- トリプルレベルセル
用途：
エンドユーザー：
- 自動車
- 家電
- 企業
- ヘルスケア
地域：
- 北米
- ヨーロッパ
- アジア太平洋
- 南米
- 中東およびアフリカ
1 グローバル3D NAND型フラッシュメモリ市場の概要
1.1 市場概要
1.2 レポートの対象範囲
1.3 前提条件
2 エグゼクティブサマリー
3 検証済み市場調査の調査手法
3.1 データマイニング
3.2 検証
3.3 一次インタビュー
3.4 データソース一覧
4 世界の3D NAND型フラッシュメモリ市場の見通し
4.1 概要
4.2 市場力学
4.2.1 推進要因
4.2.2 抑制要因
4.2.3 機会
4.3 ポーターのファイブフォースモデル
4.4 バリューチェーン分析
5 世界の3D NAND型フラッシュメモリ市場、タイプ別
5.1 概要
5.2 シングルレベルセル
5.3 マルチレベルセル
5.4 トリプルレベルセル
6 グローバル3D NAND型フラッシュメモリ市場、用途別
6.1 概要
6.2 カメラ
6.3 ノートパソコンおよびPC
7 グローバル3D NAND型フラッシュメモリ市場、エンドユーザー別
7.1 概要
7.2 自動車
7.3 民生用電子機器
7.4 企業
7.5 ヘルスケア
8 世界の3D NANDフラッシュメモリ市場、地域別
8.1 概要
8.2 北米
8.2.1 米国
8.2.2 カナダ
8.2.3 メキシコ
8.3 欧州
8.3.1 ドイツ
8.3.2 英国
8.3.3 フランス
8.3.4 その他の欧州
8.4 アジア太平洋地域
8.4.1 中国
8.4.2 日本
8.4.3 インド
8.4.4 その他のアジア太平洋地域
8.5 その他の地域
8.5.1 ラテンアメリカ
8.5.2 中東およびアフリカ
9 世界の3D NAND型フラッシュメモリ市場の競合状況
9.1 概要
9.2 企業別市場ランキング
9.3 主要開発戦略
10 企業プロフィール
11 付録
11.1.1 関連研究
